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Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Silicon (111) substrates employing multi-stacked strained layer superlattice structures

超晶格 材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 电子迁移率 图层（电子） 位错 透射电子显微镜 晶体管 硅 纳米技术 复合材料 电气工程 电压 工程类
作者
Pradip Dalapati,Shunsuke Urata,Takashi Egawa
出处
期刊：Superlattices and Microstructures [Elsevier]
日期：2020-09-18 卷期号：147: 106709-106709 被引量：20
标识
DOI：10.1016/j.spmi.2020.106709
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