Recent Progress in CVD Growth of 2D Transition Metal Dichalcogenides and Related Heterostructures

异质结 纳米技术 材料科学 数码产品 超晶格 过渡金属 化学气相沉积 光电子学 催化作用 化学 物理化学 生物化学
作者
Yù Zhang,Yuyu Yao,Marshet Getaye Sendeku,Lei Yin,Xueying Zhan,Feng Wang,Zhenxing Wang,Jun He
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:31 (41) 被引量:340
标识
DOI:10.1002/adma.201901694
摘要

Abstract In recent years, 2D layered materials have received considerable research interest on account of their substantial material systems and unique physicochemical properties. Among them, 2D layered transition metal dichalcogenides (TMDs), a star family member, have already been explored over the last few years and have exhibited excellent performance in electronics, catalysis, and other related fields. However, to fulfill the requirement for practical application, the batch production of 2D TMDs is essential. Recently, the chemical vapor deposition (CVD) technique was considered as an elegant alternative for successfully growing 2D TMDs and their heterostructures. The latest research advances in the controllable synthesis of 2D TMDs and related heterostructures/superlattices via the CVD approach are illustrated here. The controlled growth behavior, preparation strategies, and breakthroughs on the synthesis of new 2D TMDs and their heterostructures, as well as their unique physical phenomena, are also discussed. Recent progress on the application of CVD‐grown 2D materials is revealed with particular attention to electronics/optoelectronic devices and catalysts. Finally, the challenges and future prospects are considered regarding the current development of 2D TMDs and related heterostructures.
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