A Novel Approach to Analyze the Resistance of the RRAM Based on the Conductive Nano Filament Length and Width Variation

材料科学 电阻随机存取存储器 蛋白质丝 纳米- 变化(天文学) 导电体 复合材料 工程物理 纳米技术 电气工程 电压 物理 工程类 天体物理学
作者
H. M. Vijay,V. N. Ramakrishnan
出处
期刊:Transactions on Electrical and Electronic Materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:23 (5): 476-482 被引量:2
标识
DOI:10.1007/s42341-021-00374-5
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