Influence of Dopant Concentration on Dislocation Distributions in 150mm 4H SiC Wafers

材料科学 电阻率和电导率 聚结(物理) 位错 薄脆饼 掺杂剂 压扁 晶体生长 GSM演进的增强数据速率 复合材料 凝聚态物理 结晶学 光电子学 兴奋剂 电气工程 工程类 物理 天体生物学 电信 化学 计算机科学
作者
Ian Manning,Gil Yong Chung,Edward Sanchez,Michael Dudley,Tuerxun Ailihumaer,Jian Qiu Guo,Ouloide Yannick Goue,Balaji Raghothamachar
出处
期刊:Materials Science Forum 卷期号:963: 60-63 被引量:2
标识
DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.963.60
摘要

Shifts in the spatial distribution of threading dislocations in 150 mm 4H SiC wafers were examined as a response to intentional changes in both the flow of the nitrogen source gas used to control resistivity during bulk crystal growth, and the growth rate. The density of threading edge and screw dislocations was found to be more evenly distributed in wafers produced under a high-growth rate, low-resistivity process. This result corresponded to a flattening of the resistivity distribution, and a ~34% reduction in on-and off-facet resistivity differential. The effect was attributed to regularized 4H island coalescence due to modulation of step terrace width.
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