Repairing sulfur vacancies in the MoS2 monolayer by using CO, NO and NO2 molecules

单层 材料科学 空位缺陷 分子 硫黄 结晶学 兴奋剂 化学物理 纳米技术 光电子学 化学 冶金 有机化学
作者
Dongwei Ma,Qinggao Wang,Tingxian Li,Chaozheng He,Benyuan Ma,Yanan Tang,Zhansheng Lu,Zongxian Yang
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:4 (29): 7093-7101 被引量:125
标识
DOI:10.1039/c6tc01746k
摘要

The repairing process of the MoS2 monolayer containing single S vacancies has been theoretically investigated by using CO, NO and NO2 molecules. The results show that repairing the S vacancy with CO, NO and NO2 molecules can be used to realize the C, N and O-doped MoS2 monolayers, respectively.
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