Study of void formation due to electromigration in flip-chip solder joints using Kelvin bump probes

电迁移 倒装芯片 焊接 材料科学 空隙(复合材料) 冶金 复合材料 光电子学 胶粘剂 图层(电子)
作者
Y. H. Chang,S. Liang,Chih Chen
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:89 (3): 032103-032103 被引量:60
标识
DOI:10.1063/1.2226989
摘要

Kelvin bump probes were fabricated in flip-chip solder joints, and they were employed to monitor the void formation during electromigration. We found that voids started to form at approximately 5% of the failure time under 0.8A at 150°C, and the bump resistance increased only 0.02mΩ in the initial stage of void formation. Three-dimensional simulation was performed to examine the increase in bump resistance at different stages of void formation, and it fitted the experimental results quite well. This technique provides a systematic way for investigating the void formation during electromigration.
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