Evolution, challenge, and outlook of TSV, 3D IC integration and 3d silicon integration

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作者
John H. Lau
出处
期刊:International Symposium on Advanced Packaging Materials 卷期号:: 462-488 被引量:179
标识
DOI:10.1109/isapm.2011.6105753
摘要

3D integration consists of 3D IC packaging, 3D IC integration, and 3D Si integration. They are different and in general the TSV (through-silicon via) separates 3D IC packaging from 3D IC/Si integrations since the latter two use TSV but 3D IC packaging does not. TSV (with a new concept that every chip or interposer could have two surfaces with circuits) is the heart of 3D IC/Si integrations and is the focus of this investigation. The origin of 3D integration is presented. Also, the evolution, challenges, and outlook of 3D IC/Si integrations are discussed as well as their road maps are presented. Finally, a few generic, low-cost, and thermal-enhanced 3D IC integration system-in-packages (SiPs) with various passive TSV interposers are proposed.
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