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Indium Tin-Doped Oxide (ITO) as a High Activity Water Oxidation Photoanode

材料科学 氧化铟锡 饱和甘汞电极 氧化锡 电极 二氧化钛 半导体 析氧 化学工程 光电化学 无机化学 薄膜 兴奋剂 光电流 分解水 光电子学 光催化 纳米技术 参比电极 电化学 化学 催化作用 冶金 工程类 物理化学 生物化学
作者
Matthew V. Sheridan,Jeffrey R. McLachlan,Johan R. González-Moya,Nicole D. Cortés-Medina,Christopher J. Dares
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:13 (33): 40127-40133 被引量:3
标识
DOI:10.1021/acsami.1c11298
摘要

Photochemical water oxidation was carried out at a mesoporous nanoparticle film composed of indium tin-doped oxide (nanoITO). Annealing nanoITO at temperatures above 250 °C affects both conducting and semiconducting properties. Impressive photoelectrochemical activity was observed at this degenerate n-type semiconductor electrode, outperforming the traditional semiconductor titanium dioxide (TiO2) under the same conditions. In a 0.1 M HNO3 solution, the nanoITO electrode sustained photocurrents of 1.0 mA/cm2 at an Eapplied = 1.5 V vs saturated calomel electrode (SCE) (η = 0.55 V) under a 90 mW/cm2 UV illumination (375 nm). This activity is compared to ∼0.3 mA/cm2 with a traditional TiO2 electrode under the same potential and conditions. Evidence for oxygen generation in the photolysis experiments was quantified using the collector–generator method, and >70% photocurrent efficiency for O2 production was confirmed at this nanoITO photoanode.

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