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作者
Changzheng Sun,Jian Wang,Qingfeng Zhou,Bing Xiong,Yi Luo
出处
期刊：Conference proceedings. ... International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
日期：2007-05-01
被引量：2
标识
DOI：10.1109/iciprm.2007.381165
摘要
Dry etching of InP-based semiconductors is carried out by inductively coupled plasma (ICP) for optoelectronic device fabrication. The etching conditions for different chemical mixtures are optimized to ensure high anisotropy and smooth surface morphology.
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