Channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride for deep and low-damage doping

离子注入 材料科学 兴奋剂 离子 氮化镓 氮化物 光电子学 冶金 化学 纳米技术 有机化学 图层(电子)
作者
Tomoaki Nishimura,Kiyoji Ikeda,Tetsu Kachi
出处
期刊:Applied Physics Express [IOP Publishing]
卷期号:14 (6): 066503-066503 被引量:11
标识
DOI:10.35848/1882-0786/ac039e
摘要

Abstract Ion implantation into p-type gallium nitride (GaN) to a depth of several microns for power devices is a challenge because their activation is disturbed by the damage caused by implantation. To reduce this damage, a channeled implantation technique was applied to implant magnesium (Mg) ions into GaN (0001). Compared with random implantation, channeled implantation was demonstrated to implant and activate ions in >10 times deeper regions. Thus, the channeled implantation technique is indispensable for the deep implantation of Mg ions into GaN devices.
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