铁电性
材料科学
锗
半导体
硅
基质(水族馆)
光电子学
电介质
海洋学
地质学
标识
DOI:10.1038/s41928-021-00660-3
摘要
Ferroelectric switching of spin-to-charge conversion can be achieved at room temperature in germanium telluride — a Rashba ferroelectric semiconductor — deposited on a silicon substrate.
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