MoS2 and Perylene Derivative Based Type‐II Heterostructure: Bandgap Engineering and Giant Photoluminescence Enhancement

三极管 光致发光 异质结 材料科学 激子 光电子学 带隙 二硫化钼 猝灭(荧光) 纳米技术 光学 凝聚态物理 物理 荧光 冶金
作者
Sk Md Obaidulla,Mohammad Rezwan Habib,Yahya Khan,Yuhan Kong,Tao Liang,Mingsheng Xu
出处
期刊:Advanced Materials Interfaces [Wiley]
卷期号:7 (3) 被引量:32
标识
DOI:10.1002/admi.201901197
摘要

Abstract 2D transition metal dichalcogenides (TMDs) are a promising material system for optoelectronic applications. However, their key figure of merit, the room‐temperature photoluminescence (PL), is extremely low. To overcome this challenge, TMDs need interfacing with other semiconducting materials and discover the underlying physical phenomena. Herein, the optical properties and PL mechanisms of molybdenum disulfide‐organic perylene derivative (PDI/MoS 2 ) based type‐II heterostructures, i.e., PTCDA/MoS 2 and PTCDI‐Ph/MoS 2 , are studied experimentally and theoretically. The PL of MoS 2 in PTCDA/MoS 2 is enhanced, while a dramatic PL quenching of MoS 2 is observed on PTCDI‐Ph/MoS 2 . The significant radiative PL enhancement of PTCDA/MoS 2 is primarily due to the bandgap reduction, high exciton/trion ratio, and epitaxial growth of PTCDA. In contrast, “trap‐like” states in heterointerface, relatively low exciton/trion ratio, and less ordered morphology are responsible for PL quenching of PTCDI‐Ph/MoS 2 heterostructure. These findings would provoke a new way to engineer the light‐matter interactions in organic/TMD hybrids, which enables light‐emitting, light‐harvesting applications, and neuromorphic devices.
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