Manipulation of K center charge states in silicon nitride films to achieve excellent surface passivation for silicon solar cells

钝化 等离子体增强化学气相沉积 材料科学 氮化硅 光电子学 化学气相沉积 氧化硅 堆栈(抽象数据类型) 图层(电子) 纳米技术 计算机科学 程序设计语言
作者
Vivek Sharma,Clarence J. Tracy,D.K. Schroder,Stanislau Herasimenka,William J. Dauksher,Stuart Bowden
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:104 (5) 被引量:29
标识
DOI:10.1063/1.4863829
摘要

High quality surface passivation (Seff < 5 cm/s) was achieved on polished float zone and textured p- and n-type solar grade Czochralski silicon substrates by externally injecting and storing positive or negative charges (>±8 × 1012 cm−2) into a dual layer stack of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Silicon Nitride (SiNx)/PECVD Silicon Oxide (SiO2) films using a corona charging tool. We demonstrate long term stability and uniform charge distribution in the SiNx film by manipulating the charge on K center defects while negating the requirement of a high temperature thermal oxide step.
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