材料科学
晶体管
光电子学
硅
电子
感应高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管
电子迁移率
工程物理
纳米技术
电气工程
工程类
物理
量子力学
电压
作者
Miaodong Zhu,Guoxin Li,Hangtian Li,Zhonghong Guo,Yingguo Yang,Jianbo Shang,Yikang Feng,Yunshu Lu,Zexi Li,Xiaohang Li,Fangliang Gao,Wenqiu Wei,Shuti Li
摘要
This review highlights the challenges and advancements in p-GaN gate HEMTs on silicon substrates. It also discusses several attempts to enhance device performance and explores the future developments of p-GaN gate HEMT.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
杳鸢
嗯哼
熊猫
tuanheqi
寻道图强
竹筏过海
双黄
VDC
冷傲的薯片
认真的迎南
kento
pluto
aaaaaab
傲慢与偏见zz
cctv18
小二郎
善良夜梅
Omega
沙之聚
黑糖珍珠
皖公网安备34019202002308
