材料科学
晶体管
光电子学
硅
电子
感应高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管
电子迁移率
工程物理
纳米技术
电气工程
工程类
物理
量子力学
电压
作者
Mankang Zhu,Guoxin Li,Hangtian Li,Zhonghong Guo,Yingguo Yang,Jingzhi Shang,Youjun Feng,Yunshu Lu,Zexi Li,Jinmin Li,Fangliang Gao,W. Wei,Shuti Li
摘要
This review highlights the challenges and advancements in p-GaN gate HEMTs on silicon substrates. It also discusses several attempts to enhance device performance and explores the future developments of p-GaN gate HEMT.
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