Challenges and advancements in p-GaN gate based high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon substrates

材料科学 晶体管 光电子学 电子 感应高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 电子迁移率 工程物理 纳米技术 电气工程 工程类 物理 量子力学 电压
作者
Miaodong Zhu,Guoxin Li,Hangtian Li,Zhonghong Guo,Ying Yang,Jianbo Shang,Yikang Feng,Yunshu Lu,Zexi Li,Xiaohang Li,Fangliang Gao,Wenqiu Wei,Shuti Li
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:12 (40): 16272-16293 被引量:11
标识
DOI:10.1039/d4tc02720e
摘要

This review highlights the challenges and advancements in p-GaN gate HEMTs on silicon substrates. It also discusses several attempts to enhance device performance and explores the future developments of p-GaN gate HEMT.
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