Plasma-enhanced atomic layer deposition of silicon nitride thin films with different substrate biasing using Diiodosilane precursor

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作者
Mohammed Zeghouane,Gauthier Lefèvre,S. Labau,Mohammed-Bilal Hachemi,F. Bassani,M. Mouis
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:184: 108851-108851
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2024.108851
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