The Mechanism of the Photostability Enhancement of Thin-Film Transistors Based on Solution-Processed Oxide Semiconductors Doped with Tetravalent Lanthanides

材料科学 薄膜晶体管 退火(玻璃) 兴奋剂 半导体 氧化物 光电子学 纳米技术 冶金 图层(电子)
作者
Linfeng Lan,Chunchun Ding,Penghui He,Huimin Su,Bo Huang,Jintao Xu,Shuguang Zhang,Junbiao Peng
出处
期刊:Nanomaterials [MDPI AG]
卷期号:12 (21): 3902-3902 被引量:2
标识
DOI:10.3390/nano12213902
摘要

The applications of thin-film transistors (TFTs) based on oxide semiconductors are limited due to instability under negative bias illumination stress (NBIS). Here, we report TFTs based on solution-processed In2O3 semiconductors doped with Pr4+ or Tb4+, which can effectively improve the NBIS stability. The differences between the Pr4+-doped In2O3 (Pr:In2O3) and Tb4+-doped In2O3 (Tb:In2O3) are investigated in detail. The undoped In2O3 TFTs with different annealing temperatures exhibit poor NBIS stability with serious turn-on voltage shift (ΔVon). After doping with Pr4+/Tb4+, the TFTs show greatly improved NBIS stability. As the annealing temperature increases, the Pr:In2O3 TFTs have poorer NBIS stability (ΔVon are -3.2, -4.8, and -4.8 V for annealing temperature of 300, 350, and 400 °C, respectively), while the Tb:In2O3 TFTs have better NBIS stability (ΔVon are -3.6, -3.6, and -1.2 V for annealing temperature of 300, 350, and 400 ℃, respectively). Further studies reveal that the improvement of the NBIS stability of the Pr4+/Tb4+:In2O3 TFTs is attributed to the absorption of the illuminated light by the Pr/Tb4fn-O2p6 to Pr/Tb 4fn+1-O2p5 charge transfer (CT) transition and downconversion of the light to nonradiative transition with a relatively short relaxation time compared to the ionization process of the oxygen vacancies. The higher NBIS stability of Tb:In2O3 TFTs compared to Pr:In2O3 TFTs is ascribed to the smaller ion radius of Tb4+ and the lower energy level of Tb 4f7 with a isotropic half-full configuration compared to that of Pr 4f1, which would make it easier for the Tb4+ to absorb the visible light than the Pr4+.
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