Impact of temperature on dynamic characteristics of 4H-silicon carbide drift step recovery diodes

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作者
Xiaoxue Yan,Lin Liang,Zewei Yang,Hai Shang,Zhengheng Qing
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier]
卷期号:150: 115169-115169
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2023.115169

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