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Reversible breakdown voltage collapse in silicon gate-controlled diodes

雪崩二极管 击穿电压 材料科学 光电子学 雪崩击穿 齐纳二极管 二极管 栅氧化层 随时间变化的栅氧化层击穿 过驱动电压 电压 硅 晶体管 电容器 电气工程 阈值电压 工程类
作者
A. Rusu,O. Pietrareanu,C Bulucea
出处
期刊：Solid-state Electronics [Elsevier]
日期：1980-05-01 卷期号：23 (5): 473-480 被引量：17
标识
DOI：10.1016/0038-1101(80)90084-2
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