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Doping and Stress Induced Raman Shifts in Pd-Decorated CVD Grown Graphene

石墨烯 拉曼光谱 材料科学 化学气相沉积 兴奋剂 蓝移 石墨烯纳米带 纳米技术 分析化学(期刊) 光电子学 光学 光致发光 化学 色谱法 物理
作者
Rakesh Kumar
出处
期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology [Institute of Physics]
卷期号:10 (6): 061002-061002 被引量:6
标识
DOI:10.1149/2162-8777/ac04f9
摘要

In this article, we study the interactions of graphene and Pd by using Raman spectroscopy. Graphene grown by chemical vapor deposition (CVD) method was decorated with Pd films with varying thickness ranging from 5 to 25 nm. It has been shown that the positions of both G and 2D peaks in Raman spectra of Pd-graphene (Pd-G) composite are shifted in both sides of the main peaks of graphene and highly dependent on the thickness of the Pd over layer. A blue shift in both G and 2D bands has been observed for lower Pd thickness (≤10 nm). This blue shift is the resultant of the holes doping in graphene due to a work function difference between graphene and Pd. However, strain-induced red shifts in these Raman bands of graphene have been observed for higher Pd thickness (≥15 nm).
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