Secondary doping in poly(3,4‐ethylenedioxythiophene):Poly(4‐styrenesulfonate) thin films

掺杂剂 佩多:嘘 聚(3,4-亚乙基二氧噻吩) 材料科学 兴奋剂 拉曼光谱 电导率 导电聚合物 薄膜 化学工程 分析化学(期刊) 纳米技术 复合材料 化学 聚合物 光电子学 物理化学 有机化学 光学 工程类 物理
作者
Juraj Nevrela,Michal Micjan,Miroslav Novota,Soňa Kováčová,Milan Pavúk,P. Juhász,J. Kováč,J. Jakabovič,Martin Weis
出处
期刊:Journal of Polymer Science Part B [Wiley]
卷期号:53 (16): 1139-1146 被引量:85
标识
DOI:10.1002/polb.23754
摘要

ABSTRACT The electrical and structural properties of poly(3,4‐ethylenedioxythiophene):poly(4‐styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) thin films deposited from aqueous dispersion using different concentrations of selected secondary dopants are studied in detail. An improvement of the electrical conductivity by three orders of magnitude is achieved for dimethyl sulfoxide, sorbitol, ethylene glycol, and N , N ‐dimethylformamide, and the secondary dopant concentration dependence of the conductivity exhibits almost identical behavior for all investigated secondary dopants. Detailed analysis of the surface morphology and Raman spectra reveals no presence of the secondary dopant in fabricated films, and thus the dopants are truly causing the secondary doping effect. Although the ratio of benzenoid and quinoid vibrations in Raman spectra is unaffected by doping, the phase transition in PEDOT:PSS films owing to doping is confirmed. Further analysis of temperature‐dependent conductivity reveals 1D variable range hopping (VRH) charge transport for undoped PEDOT:PSS, whereas highly conductive doped PEDOT:PSS films exhibit 3D VRH charge transport. We demonstrate that the charge ‐ hopping dimensionality change should be a fundamental reason for the conductivity enhancement. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2015 , 53 , 1139–1146
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