Ultrahigh Energy‐Storage Density in NaNbO3‐Based Lead‐Free Relaxor Antiferroelectric Ceramics with Nanoscale Domains

材料科学 陶瓷 电介质 正交晶系 反铁电性 储能 电容器 凝聚态物理 衍射 光电子学 铁电性 电压 复合材料 热力学 光学 电气工程 功率(物理) 物理 工程类
作者
He Qi,Ruzhong Zuo,Aiwen Xie,Ao Tian,Jian Fu,Yi Zhang,Shujun Zhang
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:29 (35) 被引量:485
标识
DOI:10.1002/adfm.201903877
摘要

Abstract Dielectric energy‐storage capacitors have received increasing attention in recent years due to the advantages of high voltage, high power density, and fast charge/discharge rates. Here, a new environment‐friendly 0.76NaNbO 3 –0.24(Bi 0.5 Na 0.5 )TiO 3 relaxor antiferroelectric (AFE) bulk ceramic is studied, where local orthorhombic Pnma symmetry (R phase) and nanodomains are observed based on high‐resolution transmission electron microscopy, selected area electron diffraction, and in/ex situ synchrotron X‐ray diffraction. The orthorhombic AFE R phase and relaxor characteristics synergistically contribute to the record‐high energy‐storage density W rec of ≈12.2 J cm −3 and acceptable energy efficiency η ≈ 69% at 68 kV mm −1 , showing great advantages over currently reported bulk dielectric ceramics. In comparison with normal AFEs, the existence of large random fields in the relaxor AFE matrix and intrinsically high breakdown strength of NaNbO 3 ‐based compositions are thought to be responsible for the observed energy‐storage performances. Together with the good thermal stability of W rec (>7.4 J cm −3 ) and η (>73%) values at 45 kV mm −1 up to temperature of 200 °C, it is demonstrated that NaNbO 3 ‐based relaxor AFE ceramics will be potential lead‐free dielectric materials for next‐generation pulsed power capacitor applications.
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