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Monodisperse Metallic NiCoSe2 Hollow Sub‐Microspheres: Formation Process, Intrinsic Charge‐Storage Mechanism, and Appealing Pseudocapacitance as Highly Conductive Electrode for Electrochemical Supercapacitors

假电容 材料科学 超级电容器 水平扫描速率 循环伏安法 电极 化学工程 分散性 电化学储能 纳米技术 电化学 储能 化学 高分子化学 物理化学 功率(物理) 物理 量子力学 工程类
作者
Linrui Hou,Yafei Shi,Chen Wu,Yanru Zhang,Yangzhou Ma,Xuan Sun,Jinfeng Sun,Xiaogang Zhang,Changzhou Yuan
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:28 (13) 被引量:263
标识
DOI:10.1002/adfm.201705921
摘要

Abstract Highly conductive metal selenides are gaining prominence as promising electrode materials in electrochemical energy‐storage fields. However, phase‐pure bimetallic selenides are scarcely retrieved, and their underlying charge‐storage mechanisms are still far from clear. Here, first a solvothermal strategy is devised to purposefully fabricate monodisperse hollow NiCoSe 2 (H‐NiCoSe 2 ) sub‐microspheres. Inherent formation of metallic H‐NiCoSe 2 is tentatively put forward with comparative structure‐evolution investigations. Interestingly, the fresh H‐NiCoSe 2 does not demonstrate striking supercapacitive behaviors when evaluated for electrochemical supercapacitors (ESs). But it exhibits competitive pseudocapacitance of ≈750 F g −1 at a rate of 3 A g −1 with a high loading of 7 mg cm −2 after ≈100 cyclic voltammetry (CV) cycles. With systematic physicochemical/electrochemical analyses, intrinsic energy‐storage mechanism of the H‐NiCoSe 2 is convincingly revealed that the electrooxidation‐generated biactive CoOOH/NiOOH phases in aqueous KOH over CV scanning, rather than the H‐NiCoSe 2 itself, account for the remarkable pesudocapacitance observed after cycling. An assembled H‐NiCoSe 2 ‐based asymmetric device has delivered an energy density of ≈25.5 Wh kg −1 with a power rate of ≈3.75 kW kg −1 , and long‐span cycle life. More significantly, the electrode design and new perspectives here hold profound promise in enriching material synthesis methodologies and in‐depth understanding of the complex charge‐storage process of newly emerging pseudocapacitive materials for next‐generation ESs.
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