Cathodoluminescence Study of 3C-SiC Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates

阴极发光 材料科学 异质结 光电子学 固体物理学 碳化硅 高电子迁移率晶体管 晶体管 复合材料 凝聚态物理 电气工程 发光 物理 工程类 电压
作者
Jun Chen,Hiroyuki Sazawa,Wei Yi,Takashi Sekiguchi
出处
期刊:Journal of Electronic Materials [Springer Nature]
卷期号:52 (8): 5075-5083 被引量:1
标识
DOI:10.1007/s11664-023-10336-7
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