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A Halide‐Based Perovskite CsGeX3 (X = Cl, Br, and I) for Optoelectronic and Piezoelectric Applications

卤化物 压电 钙钛矿(结构) 带隙 材料科学 密度泛函理论 衰减系数 光电子学 吸收(声学) 电子结构 直接和间接带隙 压电系数 计算化学 结晶学 化学 光学 无机化学 复合材料 物理
作者
L. Celestine,R. Zosiamliana,Shivraj Gurung,Shalika R. Bhandari,A. Laref,Sherzod Abdullaev,P. Raics
出处
期刊:Advanced theory and simulations [Wiley]
卷期号:7 (1) 被引量:26
标识
DOI:10.1002/adts.202300566
摘要

Abstract By means of the study of the first principles within the framework of density functional theory, the inorganic metal halide perovskite CsGeX 3 (X = Cl, Br, and I) is thoroughly investigated for its potential application in the field of green energy harvest. The structural, electronic, optical, mechanical, and piezoelectric properties have been calculated. Herein, the computed electronic properties reveal a direct bandgap semiconducting nature with electronic bandgap E = 2.01, 1.38, and 0.85 eV for X = Cl, Br, and I, respectively. Since the most prominent absorption peak falls within the vis–UV region, this implies that they are the potential candidates for photovoltaic applications. To check and verify the thermal stability, the MD simulation was performed with time steps up to 5 ps. The highest piezoelectric coefficient values are 0.731, 1.829, and 12.48 C m −2 for X = Cl, Br, and I, respectively. The higher piezoelectric responses indicate the signature of the efficient energy materials for energy harvest through electromechanical processes.
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