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Engineering sensitive gas sensor based on MOF-derived hollow metal-oxide semiconductor heterostructures

异质结 化学 纳米技术 金属有机骨架 半导体 氧化物 多孔性 金属 光电子学 材料科学 吸附 有机化学
作者
Sili Yi,Wei Shi,Xin Yang,Zufu Yao
出处
期刊:Talanta [Elsevier]
卷期号:258: 124442-124442 被引量:23
标识
DOI:10.1016/j.talanta.2023.124442
摘要

Metal-organic frameworks (MOFs) derived hollow heterostructured metal oxide semiconductors (MOSs) are a class of functional porous materials exhibiting distinctive physiochemical properties. Owing to the unique advantages, including large specific surface, high intrinsic catalytic performance, abundant channels for facilitating electron transfer and mass transport, and strong synergistic effect between different components, MOF-derived hollow MOSs heterostructures can work as promising candidates for gas sensing, which have thus attracted increasing attention. Aiming to provide a deep understanding on the design strategy and MOSs heterostructure, this review presents a comprehensive overview on the advantages and applications of MOF-derived hollow MOSs heterostructures when they used n for the detection of toxic gases. In addition, a deep discussion about the perspective and challenge of this interesting field is also well organized, hoping to provide guidance for the future design and development of more accurate gas sensors.
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