Development and Characterization of Low-Dielectric Polyimide-Based Material with Low-Temperature Curing for High-Frequency Electronic Components

저온에서 빠른 경화를 통해 공정 시간을 단축하고, 낮은 유전율과 유전손실 값의 polyimide 개발을 통해 우수한 고주파 소자 개발을 진행하였다. Polyimide에 과산화물 소재를 경화제로 활용하여 라디칼 반응을 통해 저온경화를 유도하였다. 이렇게 경화된 polyimide film을 주파수 28 GHz 영역의 동축공진기로 측정하였다. 제조된 polyimide의 유전율 값은 2.48, 유전손실 값은 0.00207로 측정되었다. Polyimide의 유전 특성을 증가시키기 위해 다공성 실리카를 혼합하였고, 유전율 값은 2.15, 유전손실 값은 0.00164까지 감소하였다. 위의 물성 값들을 바탕으로 시뮬레이션을 위한 전송선로를 설계하였고, 임피던스 매칭을 위한 시뮬레이션을 진행하였다. 그 결과, 265 μm 선폭이 가장 우수한 결과를 나타냈으며, 이를 제작하기 위해 제작된 저유전 polyimide와 실리카를 포함한 polyimide를 유전층으로 적용하여 copper clad laminate를 제조하였다. 제조된 copper clad laminate을 ground-signal-ground 패턴으로 패터닝하여 전송선로 샘플을 제작하였다. 제작된 전송선로를 vector network analyzer로 s파라미터를 측정하였으며. 저유전 polyimide의 s11 값은 최소 -26.4 dB로 측정되었으며, s21 값은 최대 -1.6 dB로 측정되었고, 실리카가 포함된 저유전 polyimide의 경우 s11 값은 최소 -32 dB, s21 값은 최대 -0.0979 dB로 측정되었다. 실리카가 포함되면 초기대비 s11은 7% 감소한 결과를 보였고, s21은 18.4% 증가한 우수한 결과 값을 얻을 수 있었다.