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作者
Qing Xie,Xiao Liu,Shuguang Zhou,Zeng Lei,Bo Dai,Qiang Xu,Ni-Na Ge
标识
DOI:10.1021/acsami.4c12392
摘要
The high-temperature oxidation mechanism of silicon carbide (SiC) is crucial for designing thermal protection systems in aircraft. This study explored the oxidative chemical reaction processes and mechanism on SiC surface and interfaces within the temperature range of 300-2300 K by using reactive molecular dynamics simulation. The oxygen impact on the silica (SiO
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