Quantum size effects in layered VX2 (X = S, Se) materials: Manifestation of metal to semimetal or semiconductor transition

半金属 密度泛函理论 单层 过渡金属 材料科学 凝聚态物理 铁磁性 电子结构 半导体 相变 纳米技术 化学 带隙 计算化学 物理 光电子学 催化作用 生物化学
作者
A. H. M. Abdul Wasey,Soubhik Chakrabarty,G. P. Das
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:117 (6) 被引量:76
标识
DOI:10.1063/1.4908114
摘要

Most of the two dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDC) are nonmagnetic in pristine form. However, 2D pristine VX2 (X = S, Se, Te) materials are found to be ferromagnetic. Using spin polarized density functional theory (DFT) calculations, we have studied the electronic, magnetic, and surface properties of this class of materials in both trigonal prismatic H- and octahedral T-phase. Our calculations reveal that they exhibit materially different properties in those two polymorphs. Most importantly, detailed investigation of electronic structure explored the quantum size effect in H-phase of these materials thereby leading to metal to semimetal (H-VS2) or semiconductor (H-VSe2) transition when downsizing from bilayer to corresponding monolayer.
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