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出处
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2003-06-01
卷期号：50 (3): 565-582
被引量：75
标识
DOI：10.1109/tns.2003.813136
摘要
A review and summary of over 40 years of research and development in the investigation of transient ionizing radiation effects in devices and circuits is presented. Emphasis is placed on the relationship of circuit effects to physical mechanisms at the transistor and diode level.
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