Growth of large high-quality SiC single crystals

碳化硅 材料科学 叠加断层 堆积 结晶学 Crystal(编程语言) 垂直的 晶体生长 单晶 位错 工程物理 光电子学 复合材料 化学 计算机科学 几何学 工程类 有机化学 程序设计语言 数学
作者
Noboru Ohtani,Tatsuo Fujimoto,Masakazu Katsuno,Takashi Aigo,Hirokatsu Yashiro
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier]
卷期号:237-239: 1180-1186 被引量:61
标识
DOI:10.1016/s0022-0248(01)02153-4

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