Integrated artificial saturable absorber based on Kerr nonlinearity in silicon nitride

饱和吸收材料科学硅克尔非线性氮化硅非线性系统克尔效应光电子学氮化物电子工程纳米技术物理图层（电子）工程类光纤激光器波长量子力学

作者

Katia Shtyrkova,Patrick T. Callahan,Michael R. Watts,E. P. Ippen,Franz X. Kärtner

出处

期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics 日期：2017-01-01 被引量：3

标识

DOI：10.1364/cleo_at.2017.af1b.6

摘要

An integrated artificial fast saturable absorber at 1.9 μm is demonstrated in a CMOS-compatible process. It is based on the Kerr effect in a nonlinear Mach-Zehnder Interferometer using silicon nitride waveguides embedded in SiO 2 .

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