Growth of graphene from SiC{0001} surfaces and its mechanisms

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作者
Wataru Norimatsu,Michiko Kusunoki
出处
期刊:Semiconductor Science and Technology [IOP Publishing]
卷期号:29 (6): 064009-064009 被引量:45
标识
DOI:10.1088/0268-1242/29/6/064009
摘要

Graphene, a one-atom-layer carbon material, can be grown by thermal decomposition of SiC. On Si-terminated SiC(0001), graphene nucleates at steps and grows layer-by-layer, and as a result a homogeneous monolayer or bilayer can be obtained. We demonstrate this mechanism both experimentally and theoretically. On the C-face (000), multilayer graphene nucleates not only at steps, but also on the terraces. These differences reflect the distinct differences in the reactivity of these faces. Due to its high quality and structural controllability, graphene on SiC{0001} surfaces will be a platform for high-speed graphene device applications.
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