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Positive and negative tone double patterning lithography for 50nm flash memory

多重图案 平版印刷术 下一代光刻 抵抗 极紫外光刻 光刻 材料科学 闪光灯(摄影) X射线光刻 纳米技术 覆盖 进程窗口 无光罩微影 光电子学 光学 电子束光刻 计算机科学 物理 图层(电子) 程序设计语言
作者
Chang-Moon Lim,Seo-Min Kim,Young Dok Kim,Jaeseung Choi,Keundo Ban,Sung Won Cho,Jin Hyang Jung,Eung-Kil Kang,Hee-Youl Lim,Hyeong-Soo Kim,Seung-Chan Moon
标识
DOI:10.1117/12.656187
摘要

Double patterning lithography is very fascinating way of lithography which is capable of pushing down the k1 limit below 0.25. By using double patterning lithography, we can delineate the pattern beyond resolution capability. Target pattern is decomposed into patterns within resolution capability and decomposed patterns are combined together through twice lithography and twice etch processes. Two ways, negative and positive, of doing double patterning process are contrived and studied experimentally. In this paper, various issues in double patterning lithography such as pattern decomposition, resist process on patterned topography, process window of 1/4 pitch patterning, and overlay dependent CD variation are studied on positive and negative tone double patterning respectively. Among various issues about double patterning, only the overlay controllability and productivity seemed to be dominated as visible obstacles so far.
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