Impact-ionization model consistent with the band structure of semiconductors

电离 半导体 原子物理学 电子 撞击电离 电子能带结构 电离能 物理 凝聚态物理 化学 量子力学 离子
作者
Nobuyuki Sano,Akira Yoshii
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:77 (5): 2020-2025 被引量:46
标识
DOI:10.1063/1.358839
摘要

A new formula for calculating the impact-ionization probability for electrons in semiconductors is derived in terms of the density of states of semiconductors and thus takes into account the details of the realistic band structure. Applying this formula to Si, GaAs, InAs, and In0.53Ga0.47As yields ionization probabilities similar to those derived from the first principles under the constant matrix element approximation, and at high energies (ε≥3 eV) the magnitude and the energy dependence of the calculated ionization probability are similar for each of these materials.
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