High Temperature Electric Conductivity of Pure Silicon

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作者
Shuzhen Fan,Gabriel Plascencia,T. Utigard
出处
期刊:Canadian Metallurgical Quarterly [Taylor & Francis]
卷期号:47 (4): 509-512 被引量:24
标识
DOI:10.1179/cmq.2008.47.4.509
摘要

The electric conductivity of high purity silicon has been measured at elevated temperatures. Thin silicon rods were heated in a horizontal electric resistance furnace up to temperatures of 1120 °C. By passing a current through the rods and by measuring the resulting voltage drop, the conductivity was determined in the temperature range from 550 to 1120 °C. The data compare very well with reported literature values.

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