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Front End Electronics for Radiation Detectors Based on SiC: Application to High Dose per Pulse Charged Particle Beam Current Measurement

探测器 跨阻放大器 物理 放大器 碳化硅 光电子学 背景(考古学) 光学 材料科学 运算放大器 CMOS芯片 生物 古生物学 冶金
作者
A. T. Tchoualack,Laurent Ottaviani,Wenceslas Rahajandraibe,Wilfried Vervisch,V. Vervisch,J. Walder
出处
期刊:IEEE Sensors Journal [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:22 (3): 2326-2337 被引量:4
标识
DOI:10.1109/jsen.2021.3117864
摘要

In high dose per pulse charged particle beams, all online detectors saturate due to ion recombination. It is therefore impossible to count detector pulses separately. Silicon carbide due to its high bandgap, high thermal conductivity, and high displacement energy, is seen as an alternative. Analyzing waveforms in real-time is challenging in terms of bandwidth, measurable energy range, sensor size, data rate. In this context, an Analog Front-End (AFE) was designed for radiation signal processing. It is based on a Transimpedance Amplifier (TIA) and Charge Sensitive Amplifier (CSA) respectively, to analyze the shape of the generated signal. The methodology used to characterize AFE for large detector capacitance is described. The results obtained from simulations, experiments, and measurements in a radiative environment are also presented.

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