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Advances in mechanistic understanding of additives for copper electroplating in high-end electronics manufacture

铜互连 电镀 电镀(地质) 数码产品 镀铜 互连 材料科学 纳米技术 冶金 计算机科学 工程类 电气工程 图层(电子) 电信 物理 地球物理学
作者
Yicai Wu,Zijie Mao,Chong Wang,Yuwen Liu,Shengli Chen,Wenbin Cai
出处
期刊:Zhongguo kexue [Science in China Press]
卷期号:51 (11): 1474-1488 被引量:17
标识
DOI:10.1360/ssc-2021-0154
摘要

Copper interconnect electroplating is one of the core technologies for the manufacture of high-end electronic devices including but not limited to chips. To promote the development of advanced copper interconnect process, it is necessary to clarify the mechanisms of copper electroplating additives. Herein, we provide a brief overview of the research progress on the interfacial structures and mechanisms of the three types of additives (accelerator, suppressor and leveler) in copper sulfate plating baths from a methodological perspective. Besides, the advantages and limitations of different research methods are discussed and the scientific issues related to the Damascene copper electroplating are summarized, to afford a hint for the further research and development of the additives in advanced chip fabrication.

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