Emerging Fe3+ Doped Broad NIR‐Emitting Phosphor Ca2.5Hf2.5(Ga, Al)3O12: Fe3+ for LWUV Pumped NIR LED

荧光粉 激发态 兴奋剂 掺杂剂 离子 材料科学 八面体 发光 分析化学(期刊) 光电子学 化学 原子物理学 物理 色谱法 有机化学
作者
Liqing Yan,Ge Zhu,Song Ma,Shanshan Li,Zhuowei Li,Xixian Luo,Bin Dong
出处
期刊:Laser & Photonics Reviews [Wiley]
卷期号:18 (5) 被引量:34
标识
DOI:10.1002/lpor.202301200
摘要

Abstract Fe 3+ is a promising dopant for designing near‐infrared (NIR) phosphors due to its broadband emitting, non‐toxic, and inexpensive properties. However, the 4 E ( 4 D) and 4 E + 4 A 1 ( 4 G) levels of Fe 3+ ions are independent of the crystal‐field parameter, and the spectral regulation has become a huge challenge. Herein, a broadband NIR‐emitting phosphor Ca 2.5 Hf 2.5 (Ga, Al) 3 O 12 : Fe 3+ is successfully developed toward long‐wave ultraviolet (LWUV) light‐pumped NIR phosphor‐converted LED (pc‐LED). Significantly, the excited transition reverse of Ca 2.5 Hf 2.5 Ga 3 O 12 : Fe 3+ can be realized by simply adjusting Fe 3+ concentration, which results in the largely enhanced excitation around 410 nm and matches well with the commercial LWUV LED. Moreover, Ca 2.5 Hf 2.5 Ga 3 O 12 : Fe 3+ can exhibit a broadband NIR emission centered at 770 nm with optimized doping content at 0.01 mol%, which are demonstrated to ascribe to Fe 3+ occupying both octahedral Hf 4+ and tetrahedral Ga 3+ sites. Further, a simple cation modulation strategy is proposed to successfully break the lattice symmetry around Fe 3+ ions and largely enhance the NIR‐emission intensity to 200% as much as before. Finally, a NIR pc‐LED is fabricated by employing Ca 2.5 Hf 2.5 Ga 3 O 12 : Fe 3+ , Al 3+ coating on a 410 nm LED chip, which shows great potential in non‐destructive inspection applications.
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