Realizing high in-plane carrier mobility in n-type SnSe crystals through deformation potential modification

变形(气象学) 材料科学 热电效应 平面(几何) 凝聚态物理 类型(生物学) 结晶学 复合材料 纳米技术 几何学 化学 热力学 数学 物理 生态学 生物
作者
Haonan Shi,Lizhong Su,Shulin Bai,Bingchao Qin,Yuping Wang,Shan Liu,Cheng Chang,Li‐Dong Zhao
出处
期刊:Energy and Environmental Science [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:16 (7): 3128-3136 被引量:20
标识
DOI:10.1039/d3ee01047c
摘要

The in-plane carrier mobility in n-type SnSe crystals increases to ∼445 cm 2 V −1 s −1 due to the decreased deformation potential by Pb alloying, demonstrating the thermoelectric cooling potential of n-type SnSe crystals.
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