Vertical Hierarchical Architecture of Niobium Diselenide Nanosheets Loaded ZnO Nanorods for High‐Performance Self‐Powered Broadband Photodetection

材料科学 纳米棒 光探测 二硒醚 宽带 光电子学 阳极氧化 等离子体子 氧化铌 纳米技术 光学 光电探测器 复合材料 冶金 物理
作者
Mahesh Kumar,Bohr‐Ran Huang,Adhimoorthy Saravanan,Sheng‐Chi Chen,Wesley Wei‐Wen Hsiao,Hui Sun
出处
期刊:Advanced Optical Materials [Wiley]
卷期号:13 (2) 被引量:2
标识
DOI:10.1002/adom.202402370
摘要

Abstract Materials with low‐dimensional (1D–2D) structures hold significant promise for electronic and optoelectronic applications owing to their distinctive structural features and inherent properties. These characteristics render them of substantial interest across various scientific domains, particularly in applications related to energy storage, such as supercapacitors and lithium‐ion batteries. Due to their high surface‐to‐volume ratios and unique geometric properties, low‐dimensional materials have attracted considerable attention in developing advanced broadband photodetectors (PDs) with enhanced performance capabilities. In this study, for the first time, the study reports self‐powered broadband PDs based on vertical‐core‐shell niobium diselenide (NbSe 2 )‐ZnO nanorods (ZNRs), which are produced using a hydrothermal method. Remarkably, the NbSe 2(3 ml) doped ZNRs‐based device exhibits outstanding responsivity of 0.62, 23.21, 5.35, 1.11, 0.30 AW −1 , detectivity of 2.15 × 10 10 , 4.10 × 10 11 , 1.62 × 10 11 , 8.83 × 10 10 , 1.42 × 10 11 Jones, and high sensitivity of 8.74 × 10 4 %, 5.78 × 10 5 %, 2.71 × 10 5 %, 2.79 × 10 5 %, 1.43 × 10 5 % at wavelengths of 365, 456, 532, 632, and 850 nm, respectively, at zero bias. The NbSe 2 (3ml)‐ZNRs device showed a rapid response and fall times of 37 ms and 40 ms, enabled by NbSe 2 superconductivity. The concept introduced in this study is strongly believed to possess significant potential and can be extensively applied in developing next‐generation integrated optoelectronic, clean energy technology, and photodetection devices based on 1D/2D nanostructures.
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