CMOS Charge Pump with Ultra-Low Current Mismatch

共栅 CMOS芯片 充电泵 电压 材料科学 电气工程 电流(流体) 光电子学 低压 电流镜 晶体管 电容器 工程类 放大器
作者
Chun-Chieh Chen,Nan-Ku Lu
标识
DOI:10.1109/ickii55100.2022.9983569
摘要

We propose an ultra-low current mismatch CMOS charge pump. With a cascode gain-boosting technique, the proposed charge pump obtains an ultra-high equivalent output resistance over a wide output-voltage range. A current mismatch between the discharging and charging current of less than 0.015 % has been simulated by using a 0.18-μm mixedsignal 1P6M 1.8-V CMOS process. The output current and the output voltage ranges of the proposed charge pump are 600 μA and 0.38−1.41 V, respectively.

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