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出处
期刊:Applied Science and Convergence Technology
[The Korean Vacuum Society]
日期:2013-07-30
卷期号:22 (4): 193-197
标识
DOI:10.5757/jkvs.2013.22.4.193
摘要
본 연구에서는 sol-gel법을 이용해 제작된 $VO_2$ 박막의 광전변환 특성을 연구하기 위해 광 조사 유무에 의해 생성되는 전류를 bias voltage에 따라 온도별로 측정하였다. 그 결과, 광 조사 유무에 따라 박막에서 생성되는 전류가 변화되는 것을 알 수 있었으며, bias voltage가 증가할수록 전류가 일정하게 늘어나는 것을 알 수 있었다. 특히, 광에 의해 생성되는 전류는 $VO_2$에서의 MIT 온도보다 낮은 $50^{\circ}C$에서 최대였다. 이러한 결과는 $VO_2$에서 photo-voltaic 효과가 발생함을 의미하며, 따라서 $VO_2$ 박막을 광전변환 소자로 응용할 수 있을 것으로 기대된다. In order to investigate the photo-electric property in $VO_2$ film grown by a sol-gel method, the currents generated by the light irradiation and nonirradiation were measured as functions of the bias voltage and the temperature. From the result, the generated current in the film changed with the light irradiation and nonirradiation, and it gradually increased with the bias voltage. In particular, the maximum current was generated at $50^{\circ}C$ under the light irradiation; the temperature is lower comparing the MIT (metal-insulator transition) temperature in $VO_2$. This result indicates that $VO_2$ shows the photo-voltaic effect, and so that, it is expected that the $VO_2$ film is applied for a photo-voltaic device.
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