Nnew In-Zn-O thin film transistors gate driver circuit employing input block multiplex structure

块(置换群论) 晶体管 薄膜晶体管 计算机科学 电子线路 电子工程 电气工程 材料科学 电压 数学 工程类 几何学 图层(电子) 复合材料
作者
李冠明 张立荣
出处
期刊:Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 卷期号:30 (5): 832-837
标识
DOI:10.3788/yjyxs20153005.0832
摘要

This paper proposes a new gate driver circuit integrated by IZO-thin film transistors(TFTs),which employs a new driving method called input block multiplex structure.One input blockdriving several output blocks is used in this method,which can reduce the number of TFTs and save the area of the circuit dramatically,satisfying the design of the high resolution and narrow bezel displays.The working time of the input block is ntimes as the output block,where the parameter‘n'is the quantity of output blocks driven by one input block.Therefore the frequency of the driving clock of the proposed circuit is 1/nof the traditional circuits,in which one input block is used to drive one output block.We have successfully fabricated 20 stages of the circuit.The structure is one input block driving two output blocks and the dimension is 730μm width and 164μm height,which can realize the narrow bezel easily.The experimental results show the circuit can work well and be suitable for 300 PPI displays of AMLCD or AMOLEDs.
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