On the determination of the flat-band potential of a semiconductor in contact with a metal or an electrolyte from the Mott-Schottky plot

半导体 电解质 肖特基势垒 材料科学 电容 矩形势垒 光电子学 本征半导体 凝聚态物理 化学 物理 电极 物理化学 二极管
作者
F. Cardon,W. P. Gomes
出处
期刊:Journal of Physics D [IOP Publishing]
卷期号:11 (4): L63-L67 被引量:360
标识
DOI:10.1088/0022-3727/11/4/003
摘要

Possible sources of deviations of semiconductor/metal and semiconductor/electrolyte Schottky barriers from ideality are discussed. The conditions under which the flat-band potential of the barrier can be determined by capacitance measurements are deduced. Results on the flat-band potential and the position of the band edges for several semiconductor/electrolyte barriers are given.
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