光电探测器
材料科学
宽带
光电子学
航程(航空)
光学
物理
复合材料
作者
Pin Tian,Hongbo Wu,Libin Tang,Jinzhong Xiang,Rongbin Ji,Shu Ping Lau,Kar Seng Teng,Wei Guo,Yugui Yao,Lain‐Jong Li
摘要
A broadband photodetector consisted by Bi 2 O 2 Te and n-Si exhibits an ultrasensitive performance in the range of 210 nm to 2400 nm.
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