Kinetics and mechanisms of surface reactions in epitaxial growth of Si from SiH4 and Si2H6

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作者
S. M. Gates
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier]
卷期号:120 (1-4): 269-274 被引量:22
标识
DOI:10.1016/0022-0248(92)90401-4

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