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A quasi-analytical breakdown voltage model in four-layer punch-through TVS devices

击穿电压 图层(电子) 材料科学 电压 工程物理 电气工程 光电子学 工程类 复合材料
作者
J. Urresti,S. Hidalgo,D. Flores,J. Roig,J. Rebollo,I. Mazarredo
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier]
卷期号:49 (8): 1309-1313 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.sse.2005.06.010
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