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作者
Dong Shi,X.F Zhang,Longyan Yuan,Yousong Gu,Y.P Zhang,Zongfan Duan,Xueli Chang,Ziwei Tian,N.X Chen
标识
DOI:10.1016/s0169-4332(99)00135-x
摘要
In this study, carbon nitride thin films are synthesized on Si and Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD). The major part of the films is composed of α-C3N4 and β-C3N4. XPS and FT-IR spectra strongly support the existence of C–N covalent bonds in C3N4. Raman spectra also support the existence of β-C3N4. The carbon nitride films on Pt substrates have a high bulk modulus of 349 GPa.
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