Experimental study of gain characteristics in relation to quantum-well width of deep-ultraviolet laser diodes

光电子学 紫外线 二极管 激光器 材料科学 量子阱 半导体激光器理论 光学 物理
作者
Ziyi Zhang,Maki Kushimoto,Akira Yoshikawa,Koji Aoto,Chiaki Sasaoka,Hiroshi Amano
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:125 (18)
标识
DOI:10.1063/5.0240488
摘要

The gain characteristics of electrically injected AlGaN-based deep-ultraviolet laser diodes were studied with respect to their quantum-well (QW) width dependence by the analysis of the threshold currents and gains for various cavity lengths. Among the fabricated QWs with widths of d = 9, 4.5, and 3 nm, the QW with the smallest width of 3 nm was found to have the highest material gain and lowest transparency carrier density. In contrast to recent arguments in favor of wider QWs for deep-ultraviolet laser diodes, the strategy of narrowing QWs is still found to be effective in practical terms of reducing the threshold current density.
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