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作者
Wenjia Zhou,Rui Xu,Haobo Wu,Xianyuan Jiang,Hao Wang,F. Pelayo Garcı́a de Arquer,Zhijun Ning
出处
期刊：ACS Nano
[American Chemical Society]
日期：2023-09-21
卷期号：17 (19): 18864-18872
被引量：12
标识
DOI：10.1021/acsnano.3c03852
摘要
device), and a gain of ∼70× at 1300 nm, leading to an overall gain-bandwidth product over 20 MHz, in comparison with 3 kHz of standard photodiode devices of similar areas.
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